FDA50N50, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 400 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO3P, АБ

Trans MOSFET N-CH 500V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
Корпус TO3P

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1635691

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

7.185

Максимальный непрерывный ток стока

48 A

Максимальное рассеяние мощности

625 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.8мм

Высота

19.9мм

Количество элементов на ИС

Series

UniFETв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

105 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

500 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

FDA50 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

48A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

137nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

6460pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-3P-3, SC-65-3

Power Dissipation (Max)

625W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

105mOhm @ 24A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-3PN

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

48 A

Pd - рассеивание мощности

625 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

105 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

500 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

360 ns

Время спада

230 ns

Длина

15.6мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

450

Серия

UniFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

225 ns

Типичное время задержки при включении

105 ns

Торговая марка

ON Semiconductor / Fairchild

Упаковка / блок

TO-3PN-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-3P

Размеры

15.6 x 4.8 x 19.9мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

105 нс

Производитель

ON Semiconductor

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

105 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

4979 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Техническая документация

Datasheet FDA50N50 , pdf , 1196 КБ
Datasheet FDA50N50 , pdf , 1260 КБ

FDA50N50 - характеристики, поставщики

Последняя цена 400 руб.

Техническая документация