NTMFS4835NT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 70 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1, корпус: SOIC8, АБ

Power MOSFET 30V 104A 3.5 mOhm Single N-Channel SO-8FL
Корпус SO-8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 мОм

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1635663

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.16

Ширина

5.8 mm

Высота

1.05 mm

Минимальная рабочая температура

55 C

Id - непрерывный ток утечки

20 A

Pd - рассеивание мощности

62.5 W

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

3.5 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

30 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

23 ns, 31 ns

Время спада

10 ns, 13 ns

Длина

4.9 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

21 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1500

Серия

NTMFS4835N

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

30 ns, 22 ns

Типичное время задержки при включении

10 ns, 16 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SO-FL-8

Тип

FETs - MOSFET - N-Channel

Техническая документация

Datasheet NTMFS4835NT1G , pdf , 136 КБ

NTMFS4835NT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 70 руб.

Техническая документация