ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NTGD4167CT1G - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NTGD4167CT1G
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
NTGD4167CT1G
Последняя цена
16 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1, корпус: TSOP6, АБ
Корпус TSOP-6, Конфигурация и полярность N+P, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 90 мОм
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1635662
Технические параметры
Вес, г
0.04
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
2.6A,1.9A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
900mW
Rds On - Drain-Source Resistance
90mО© @ 2.6A,4.5V
Transistor Polarity
N & P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
30V
Vgs - Gate-Source Voltage
1.5V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 131 КБ
