ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
NGTG15N60S1EG - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
NGTG15N60S1EG
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
NGTG15N60S1EG
Последняя цена
84 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ
IGBT only 600V 15A NPT
Корпус TO-220-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 30 А, Напряжение насыщения К-Э 1.7 В, Максимальная мощность 117 Вт, Заряд затвора 88 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1635661
Технические параметры
Base Product Number
NGTG15 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
30A
Current - Collector Pulsed (Icm)
120A
Gate Charge
88nC
Power - Max
117W
Switching Energy
550ВµJ (on), 350ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
65ns/170ns
Test Condition
400V, 15A, 22Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.7V @ 15V, 15A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
600V
IGBT Type
NPT
Вес, г
3.093
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.7V @ 15V,15A
Product Type
NPT
Pd - рассеивание мощности
47 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.95 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
30 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
50
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
ON Semiconductor
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220
Серия
NGTG15N60S1
Технология
Si
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Maximum DC Collector Current
30A
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage
6.5V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet NGTG15N60S1EG , pdf
, 272 КБ
Datasheet NGTG15N60S1EG , pdf
, 125 КБ
Datasheet NGTG15N60S1EG , pdf
, 127 КБ
