MMUN2215LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные цифровые транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Цифровой биполярный транзистор NPN, 50 В, 0.1 А, 0.246 Вт, 10 кОм+

• Упрощает конструкцию схемы
• Уменьшает пространство на плате
• Уменьшает количество компонентов
• Напряжение коллектор-база 50 В
• Напряжение коллектор-эмиттер 50 В
• Постоянный ток коллектора 100 мА

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1635517

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.03

Base Product Number

MMUN2215 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

500nA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 5mA, 10V

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

400mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 1mA, 10mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

50V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

0.25 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3.04mm

Transistor Configuration

Single

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

50 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

400 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4mm

Height

1.01mm

Pin Count

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Minimum DC Current Gain

160

Pd - рассеивание мощности

246 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.94 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

160

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

50 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

MMUN2215L

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

160

Maximum Continuous Collector Current

100 mA

Typical Input Resistor

10 kΩ

Пиковый постоянный ток коллектора

100 mA

Типичное входное сопротивление

10 kOhms

Typical Resistor Ratio

None

Resistor - Base (R1)

10 kOhms

Техническая документация

Datasheet , pdf , 392 КБ
Datasheet MMUN2215LT1G , pdf , 144 КБ
Datasheet , pdf , 132 КБ

MMUN2215LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация