ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BCX71K,215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BCX71K,215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BCX71K,215
Последняя цена
12 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.25 Вт
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1635495
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.03
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
45 В
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
3мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4мм
Другие названия товара №
BCX71K T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
100 at 10 uA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,55 В
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
250 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1.05 V
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 126 КБ