ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PBSS5160U,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PBSS5160U,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PBSS5160U,115
Последняя цена
26 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-323, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 60 В, 0.7 А, 0.25Вт
Биполярные транзисторы - BJT LO VCESAT(BISS)TRANS
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1635062
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.017
Base Product Number
PBSS5160 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
700mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
185MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power - Max
415mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
340mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum DC Collector Current
700mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
60V
Pd - Power Dissipation
415mW
Максимальное напряжение коллектор-база
80 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 2.2 x 1.35мм
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1мм
Длина
2.2мм
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
200
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
2 A
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
60 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Непрерывный коллекторный ток
700 mA
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SC-70-3
Ширина
1.35мм
Другие названия товара №
PBSS5160U T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
200 at 1 mA at 5 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
185 MHz
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.34 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
415 мВт
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
185 MHz
Число контактов
3
Тип корпуса
UMT
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 320 КБ
Datasheet PBSS5160U,115 , pdf
, 128 КБ