ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PUMT1,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PUMT1,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PUMT1,115
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Сборки биполярных транзисторов
корпус: 6-TSSOP, инфо: Цифровой биполярный транзистор, сборка, 2PNP, 40 В, 0.1 А, 0.2 Вт
Биполярные транзисторы - BJT DUAL PNP 40V 100mA
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1635050
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
PNP
Вес, г
0.03
Base Product Number
PUMT1 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
120 @ 1mA, 6V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max
300mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
6-TSSOP
Transistor Type
2 PNP (Dual)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
40V
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
40V
Pd - Power Dissipation
300mW
Pd - рассеивание мощности
200 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
2.2 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
120
Конфигурация
Dual
Максимальный постоянный ток коллектора
0.1 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
40 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
3000
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-363-6
Ширина
1.35 mm
Другие названия товара №
PUMT1 T/R
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
120 at 1 mA at 6 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Техническая документация
Datasheet PUMT1.115 , pdf
, 177 КБ
Datasheet , pdf
, 274 КБ
