ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PBSS9110T,215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
PBSS9110T,215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PBSS9110T,215
Последняя цена
29 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы
корпус: SOT-23 (TO-236AB), инфо: Биполярный транзистор, PNP, 100 В, 1 А, 0.3 Вт
Биполярный (BJT) транзистор PNP 100V 1A 100MHz 480mW Surface Mount TO-236AB
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1635039
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+150 °C
Вес, г
0.05
Base Product Number
PBSS9110 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
150 @ 500mA, 5V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
480mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
320mV @ 100mA, 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
100V
Transistor Configuration
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип транзистора
PNP
Размеры
1 x 3 x 1.4мм
Высота
1мм
Длина
3мм
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.32 V
Количество элементов на ИС
1
Максимальное рассеяние мощности
480 mW
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальный пост. ток коллектора
1 А
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Тип корпуса
SOT-23 (TO-236AB)
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,1 В
Производитель
Nexperia
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
125
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 396 КБ
