IRFBG20PBF, Vishay - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 150 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: TO-220AB, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 1000 В, 1.4 А, 54 Вт

N-канальный MOSFET, от 600 В до 1000 В, Vishay Semiconductor

Информация

Производитель

Vishay

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1635031

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

2.73

Максимальный непрерывный ток стока

1,4 A

Максимальное рассеяние мощности

54 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.7мм

Высота

9.01мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

11 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

1000 V

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

1.4 A

Pd - рассеивание мощности

54 W

Qg - заряд затвора

38 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

11 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

1 kV

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

17 ns

Время спада

31 ns

Длина

10.41мм

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

1 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

Серия

IRFBG

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

58 нс

Типичное время задержки при включении

9.4 ns

Торговая марка

Vishay / Siliconix

Упаковка / блок

TO-220AB-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.41 x 4.7 x 9.01мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

9.4 ns

Производитель

Vishay

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

38 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

500 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Through Hole

Maximum Continuous Drain Current (A)

1.4

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

11000@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

1000

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

54000

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Through Hole

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

TO-220

Supplier Package

TO-220AB

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

500@25V

HTS

8541.10.00.80

Typical Gate Charge @ Vgs (nC)

38(Max)@10V

Typical Gate Charge @ 10V (nC)

38(Max)

Typical Fall Time (ns)

Typical Rise Time (ns)

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

9.4

Automotive

Military

Package Height

9.01(Max)

Package Length

10.51(Max)

Package Width

4.65(Max)

Tab

Техническая документация

Datasheet IRFBG20PBF , pdf , 514 КБ
Datasheet IRFBG20PBF , pdf , 1104 КБ

IRFBG20PBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 150 руб.

Техническая документация