BC857BTT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SC-75, SOT-416, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.2 Вт

Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1635003

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.03

Base Product Number

BC857 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

15nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

220 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-75, SOT-416

Power - Max

200mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SC-75, SOT-416

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

650mV @ 5mA, 100mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-0.65 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 МГц

Number of Elements per Chip

Length

1.65мм

Maximum Collector Base Voltage

-50 V

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

SOT-416 (SC-75)

Maximum Power Dissipation

200 mW

Minimum Operating Temperature

-50 °C

Width

0.9мм

Maximum DC Collector Current

100 мА

Height

0.9мм

Pin Count

Dimensions

1.65 x 0.9 x 0.9mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

220

Максимальное напряжение коллектор-база

-50 V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Pd - рассеивание мощности

200 mW (1/5 W)

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

0.9мм

Длина

1.6 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

150

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

-50 °C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

0.1 A

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC857BT

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SC-75-3

Ширина

0.8 mm

Квалификация

AEC-Q101

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Количество элементов на ИС

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.65 V

EU RoHS

Compliant

ECCN (US)

EAR99

Part Status

Active

HTS

8541.29.00.95

Type

PNP

Product Category

Bipolar Small Signal

Material

Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage (V)

Maximum Collector-Emitter Voltage (V)

Maximum Emitter Base Voltage (V)

Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)

0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA

Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)

0.3@0.5mA@10mA|0.65@5mA@100mA

Maximum DC Collector Current (A)

0.1

Maximum Collector Cut-Off Current (nA)

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Maximum Transition Frequency (MHz)

100(Min)

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Packaging

Tape and Reel

Automotive

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-416

Military

Mounting

Surface Mount

Package Height

0.75

Package Length

1.6

Package Width

0.8

PCB changed

Lead Shape

Gull-wing

Максимальное напряжение эмиттер-база

-5 V

Число контактов

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

-0.9 V

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

220

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

Datasheet BC857BTT1G , pdf , 131 КБ
Datasheet BC857BTT1G , pdf , 68 КБ

BC857BTT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация