2V7002LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 23 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23-3 (TO-236), инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 115 мА, 0.225 Вт

МОП-транзистор NFET 60V 115MA 7.5O

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1634981

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.03

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Base Product Number

2V7002 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

115mA (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

225mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3 (TO-236)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

115 mA

Pd - рассеивание мощности

300 mW

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

2N7002L

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

40 ns

Типичное время задержки при включении

20 ns

Торговая марка

ON Semiconductor

Упаковка / блок

SOT-23-3

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

115mA(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

225mW

Rds On - Drain-Source Resistance

7.5О© @ 500mA,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

60V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.5V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Квалификация

AEC-Q101

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.115

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

7500@10V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

300

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Small Signal

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

50(Max)@25V

HTS

8541.29.00.95

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

40(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

20(Max)

Automotive

Yes

Military

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

2.5

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

0.8

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Maximum Diode Forward Voltage (V)

1.5

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

5(Max)@25V

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

Typical Output Capacitance (pF)

25(Max)

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

2N7002L-D , pdf , 60 КБ
Datasheet , pdf , 266 КБ
Datasheet 2V7002LT1G , pdf , 104 КБ
Datasheet 2V7002LT1G , pdf , 255 КБ

2V7002LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 23 руб.

Техническая документация