NX3020NAKS,115, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 25 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Сборки MOSFET транзисторов

корпус: 6-TSSOP, инфо: Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 30 В, 0.18 А, 0.28Вт

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 180mA 375mW Поверхностный монтаж 6-TSSOP

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1634390

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.04

Максимальный непрерывный ток стока

180 мА

Максимальное рассеяние мощности

1,1 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Length

2.2мм

Brand

Nexperia

Series

NX3020NAKS

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

13 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

0,34 нКл при 4,5 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

20 В

Base Product Number

NX3020 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

180mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

ECCN

EAR99

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.44nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

13pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.5Ohm @ 100mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

375mW

Длина

2.2мм

Серия

NX3020NAKS

Типичное время задержки выключения

34 нс

Тип корпуса

TSSOP

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Типичное время задержки включения

5 нс

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

-0.8V

Число контактов

Категория

МОП-транзистор с щелевой структурой

Типичный заряд затвора при Vgs

0,34 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

13 пФ при 10 В

Максимальное напряжение затвор-исток

20 V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

180 мА

Maximum Power Dissipation

1,1 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1мм

Maximum Drain Source Resistance

13 Ω

Maximum Drain Source Voltage

30 В

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

0.8V

Техническая документация

Datasheet NX3020NAKS,115 , pdf , 716 КБ
Datasheet NX3020NAKS,115 , pdf , 283 КБ

NX3020NAKS,115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 25 руб.

Техническая документация