BC857SH6327, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 26 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Биполярные транзисторы / Одиночные биполярные транзисторы

корпус: SOT-363, инфо: Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 0.1 А, 0.15 Вт

Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1634382

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.05

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200

Конфигурация

Dual

Максимальный постоянный ток коллектора

200 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Непрерывный коллекторный ток

100 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BC857

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-363-6

Другие названия товара №

BC857SH6327XT BC857SH6327XTSA1 SP000747456

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

630

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

250 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

250 mV

Техническая документация

Datasheet , pdf , 848 КБ

BC857SH6327 - характеристики, поставщики

Последняя цена 26 руб.

Техническая документация