IGW50N60H3, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 310 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)

кол-во в упаковке: 1, корпус: TO247, АБ

Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 100 А, Напряжение насыщения К-Э 2.3 В, Максимальная мощность 333 Вт, Заряд затвора 315 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1633958

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

40 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

8.2

Pd - рассеивание мощности

333 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.85 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

100 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

100 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247-3

Другие названия товара №

IGW50N60H3FKSA1 IGW5N6H3XK SP000702548

Серия

HighSpeed 3

Технология

Коммерческое обозначение

TRENCHSTOP

Техническая документация

Datasheet IGW50N60H3 , pdf , 1936 КБ

IGW50N60H3 - характеристики, поставщики

Последняя цена 310 руб.

Техническая документация