ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFR6215TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFR6215TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFR6215TRPBF
Последняя цена
59 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ
MOSFET; Transistor Type: MOSFET; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current, Id: 13A; On Resistance, Rds(on): 580mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs: 20V; Package/Case: D-Pak; Power Dissipation, Pd: 110W
Корпус TO252, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 295 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1630740
Технические параметры
Вес, г
0.539
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
13A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
110W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
295mО© @ 6.6A,10V
Transistor Polarity
P Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
150V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet IRFR6215, IRFU6215 (Infineon) , pdf
, 649 КБ