IRFR5505TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 36 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 2000, корпус: TO252, АБ

P-CH 55V 18A 110mOhm DPAK
Корпус TO252, Конфигурация и полярность P, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18 А, Сопротивление открытого канала (мин) 110 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1630547

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.535

Максимальный непрерывный ток стока

18 А

Максимальное рассеяние мощности

57 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

6.22мм

Высота

2.39мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

110 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Длина

6.73мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

20 ns

Тип корпуса

DPAK (TO-252)

Размеры

6.73 x 6.22 x 2.39мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

12 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

32 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

650 pF @ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

18A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

57W

Rds On - Drain-Source Resistance

110mО© @ 9.6A,10V

Transistor Polarity

P Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

55V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Id - непрерывный ток утечки:

18 A

Pd - рассеивание мощности:

57 W

Qg - заряд затвора:

32 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток:

110 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток:

55 V

Vgs - напряжение затвор-исток:

- 20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :

4 V

Вид монтажа:

SMD/SMT

Время нарастания:

28 ns

Время спада:

16 ns

Канальный режим:

Enhancement

Категория продукта:

МОП-транзистор

Количество каналов:

1 Channel

Конфигурация:

Single

Максимальная рабочая температура:

+ 150 C

Минимальная рабочая температура:

- 55 C

Подкатегория:

MOSFETs

Полярность транзистора:

P-Channel

Производитель:

Infineon

Размер фабричной упаковки:

2000

Технология:

Тип продукта:

MOSFET

Тип транзистора:

1 P-Channel

Типичное время задержки выключения:

20 ns

Типичное время задержки при включении:

12 ns

Торговая марка:

Infineon / IR

Упаковка / блок:

TO-252-3

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.:

4.2 S

Высота:

2.3 mm

Длина:

6.5 mm

Ширина:

6.22 mm

Тип:

HEXFET Power MOSFET

Техническая документация

Datasheet IRFR5505, IRFU5505 , pdf , 271 КБ
Datasheet , pdf , 282 КБ
Datasheet , pdf , 114 КБ

IRFR5505TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 36 руб.

Техническая документация