ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BC817-40.235 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BC817-40.235
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BC817-40.235
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 10000, корпус: TO236
Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-13
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1629413
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
NPN
Вес, г
0.034
Base Product Number
BC817 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
500mA
Current - Collector Cutoff (Max)
100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
250 @ 100mA, 1V
ECCN
EAR99
Frequency - Transition
100MHz
HTSUS
8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
700mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
45V
Pd - рассеивание мощности
250 mW
Вид монтажа
SMD/SMT
Высота
1 mm
Длина
3 mm
Категория продукта
Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)
250 at 100 mA, 1 V, 40 at 500 mA, 1 V
Конфигурация
Single
Максимальный постоянный ток коллектора
0.5 A
Минимальная рабочая температура
65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)
50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)
5 V
Подкатегория
Transistors
Размер фабричной упаковки
10000
Серия
BC817
Тип продукта
BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка
Nexperia
Упаковка / блок
SOT-23-3
Ширина
1.4 mm
Другие названия товара №
933628640235
Квалификация
AEC-Q101
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.
250 at 100 mA, 1 V
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)
100 MHz
Технология
Si
Series
Automotive, AEC-Q101 ->
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 286 КБ
Datasheet , pdf
, 288 КБ