ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPP80R1K4P7XKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPP80R1K4P7XKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPP80R1K4P7XKSA1
Последняя цена
37 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ
МОП-транзистор
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1624120
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.876
Ширина
4.4 mm
Высота
15.65 mm
Series
CoolMOSв„ў ->
Минимальная рабочая температура
50 C
Base Product Number
IPP80R1 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
4A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
800V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
10nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
250pF @ 500V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
Not Applicable
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4Ohm @ 1.4A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
PG-TO220-3
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 70ВµA
FET Feature
Super Junction
Id - непрерывный ток утечки
4 A
Pd - рассеивание мощности
32 W
Qg - заряд затвора
10 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
1.4 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
800 V
Vgs - напряжение затвор-исток
30 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
8 ns
Время спада
20 ns
Длина
10 mm
Другие названия товара №
IPP80R1K4P7 SP001422718
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
CoolMOS P7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Типичное время задержки выключения
40 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Техническая документация
Datasheet IPP80R1K4P7XKSA1 , pdf
, 967 КБ
Datasheet IPP80R1K4P7XKSA1 , pdf
, 984 КБ
Datasheet IPP80R1K4P7XKSA1 , pdf
, 1148 КБ
