BCV72.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Биполярные транзисторы - BJT TRANS GP TAPE-7

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1624072

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.041

Base Product Number

BCV72 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

100mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 5V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

100MHz

HTSUS

8541.21.0075

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

NPN

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

210mV @ 2.5mA, 50mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

60V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

250 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Maximum Operating Frequency

100 (Min) MHz

Length

3мм

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

60 V

Package Type

SOT23

Maximum Power Dissipation

250 мВт

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Maximum DC Collector Current

100 mA

Pin Count

Dimensions

3 x 1.4 x 1мм

Maximum Emitter Base Voltage

5 V

Minimum DC Current Gain

150

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Конфигурация транзистора

Одинарный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

3 x 1.4 x 1mm

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1мм

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)

200 at 2 mA, 5 V

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.1 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

80 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

60 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4mm

Другие названия товара №

933495340215

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

200 at 2 mA, 5 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

100 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 mW

Максимальный пост. ток коллектора

100 мА

Maximum Base Emitter Saturation Voltage

850 mV

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

850 мВ

Техническая документация

Datasheet , pdf , 178 КБ
Datasheet BCV72,215 , pdf , 406 КБ
Datasheet BCV72,215 , pdf , 207 КБ

BCV72.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация