BCW72.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 4 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1623600

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.043

Transistor Type

NPN

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum DC Collector Current

100mA

Collector-Emitter Breakdown Voltage

45V

Pd - Power Dissipation

250mW

Максимальное напряжение коллектор-база

50 V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип транзистора

NPN

Размеры

1 x 3 x 1.4мм

Высота

1мм

Длина

3мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Ширина

1.4мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.25 V

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

250 мВт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальный пост. ток коллектора

100 mA

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Число контактов

Тип корпуса

SOT-23 (TO-236AB)

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

0,85 В

Производитель

Nexperia

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

150

Техническая документация

Datasheet , pdf , 304 КБ

BCW72.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 4 руб.

Техническая документация