ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STB35NF10T4 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STB35NF10T4
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STB35NF10T4
Последняя цена
68 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 1000, корпус: TO263
MOSFET силовой транзистор - [TO-263-2]; Тип: N; Uси: 100 В; Iс(25°C): 40 А; Rси(вкл): 30 мОм; @Uзатв(ном): 10 В; Uзатв(макс): 20 В
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 40 А, Сопротивление открытого канала (мин) 35 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1623371
Технические параметры
Вес, г
1.94
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
D2PAK (TO-263)
Transistor Material
Si
Length
10.75mm
Brand
STMicroelectronics
Series
STripFET
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Mounting Type
Surface Mount
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
40 A
Maximum Power Dissipation
115 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
10.4mm
Height
4.6mm
Maximum Drain Source Resistance
35 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Техническая документация
Datasheet STB35NF10T4 , pdf
, 414 КБ
