BSP125H6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 45 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1623105

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.259

Base Product Number

BSP125 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-261-4, TO-261AA

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-SOT223-4

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

6.5мм

Transistor Configuration

Одинарный

Brand

Infineon

Package Type

SOT-223

Maximum Power Dissipation

1,8 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

3.5мм

Pin Count

3 + Tab

Тип транзистора

1 N-Channel

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1.6мм

Длина

6.5 mm

Категория продукта

МОП-транзистор

Конфигурация

Single

Минимальная рабочая температура

55 C

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Тип продукта

MOSFET

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-223-4

Ширина

3.5 mm

Другие названия товара №

BSP125 H6327 SP001058576

Технология

Series

SIPMOSВ® ->

Канальный режим

Enhancement

Transistor Material

Кремний

Количество каналов

1 Channel

Время нарастания

14.4 ns

Время спада

110 ns

Id - непрерывный ток утечки

120 mA

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Maximum Gate Threshold Voltage

2.3V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

25 Ohms

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.3 V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

120mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

FET Type

N-Channel

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

150pF @ 25V

Power Dissipation (Max)

1.8W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45Ohm @ 120mA, 10V

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.3V @ 94ВµA

Maximum Continuous Drain Current

120 мА

Maximum Drain Source Resistance

45 Ω

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Typical Gate Charge @ Vgs

4.4 nC @ 10 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Qg - заряд затвора

6.6 nC

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

60 mS

Типичное время задержки выключения

20 ns

Типичное время задержки при включении

7.7 ns

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

6.6nC @ 10V

Техническая документация

Datasheet , pdf , 701 КБ
Datasheet BSP125H6327XTSA1 , pdf , 532 КБ
Datasheet , pdf , 532 КБ

BSP125H6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация