BSP135H6327XTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 56 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ

N-CH Depletion MOS 600V SOT223
Корпус PGSOT2234, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 25 Ом

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1623103

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.195

Максимальный непрерывный ток стока

120 мА

Максимальное рассеяние мощности

1,8 Вт

Тип монтажа

Surface Mount

Ширина

3.5мм

Высота

1.6мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

60 Ом

Максимальное напряжение сток-исток

600 В

Номер канала

Опускание

Тип канала

Id - непрерывный ток утечки

120 mA

Pd - рассеивание мощности

1.8 W

Qg - заряд затвора

3.7 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

30 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

600 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5.6 ns

Время спада

182 ns

Длина

6.5мм

Другие названия товара №

BSP135 H6327 SP001058812

Канальный режим

Depletion

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

80 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

1000

Серия

SIPMOS

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

28 ns

Типичное время задержки при включении

5.4 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

PG-SOT-223-4

Тип корпуса

SOT-223

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,4 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

2.1V

Число контактов

3+Tab

Категория

Малый сигнал

Типичный заряд затвора при Vgs

3,7 нКл при 5 В

Типичная входная емкость при Vds

98 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Средства разработки

EVALLEDICL5101E1

Техническая документация

Datasheet , pdf , 482 КБ
Datasheet BSP135H6327XTSA1 , pdf , 420 КБ

BSP135H6327XTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 56 руб.

Техническая документация