IRFU120NPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 35 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 75, корпус: IPAK, АБ

IRFU120NPBF - это одноканальный N-канальный полевой МОП-транзистор HEXFET® на 100 В с чрезвычайно низким сопротивлением в открытом состоянии на кремниевую площадь и быстродействием переключения с использованием передовой планарной технологии.

• Рабочая температура 175 ° C
• Динамический рейтинг dV / dt
• Полностью лавинный режим

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1622033

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

0.658

Максимальный непрерывный ток стока

9,4 А

Максимальное рассеяние мощности

48 Вт

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

2.3мм

Высота

6.1мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

210 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

100 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRFU120 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

9.4A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

330pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Power Dissipation (Max)

48W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

210mOhm @ 5.6A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

IPAK (TO-251)

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

6.6мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

32 нс

Тип корпуса

IPAK (TO-251)

Размеры

6.6 x 2.3 x 6.1мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

4.5 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

25 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

330 pF@ 25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

9.4A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

48W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 250uA

Техническая документация

Datasheet , pdf , 391 КБ
irfr120npbf , pdf , 391 КБ
Datasheet IRFU120NPBF , pdf , 397 КБ

IRFU120NPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 35 руб.

Техническая документация