ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BS250FTA - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diodes Incorporated
BS250FTA
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BS250FTA
Последняя цена
67 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: SOT23-3, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 45 В, 90 мА, 0.33Вт
МОП-транзистор с каналом P, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
Информация
Производитель
Diodes Incorporated
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1621636
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
P-Channel
Вес, г
0.05
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Ширина
1.4мм
Высота
1 mm
Transistor Material
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
DiodesZetex
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
14 Ω
Pin Count
3
Номер канала
Поднятие
Тип канала
P
Maximum Gate Source Voltage
-20 В, +20 В
Id - непрерывный ток утечки
90 mA
Pd - рассеивание мощности
330 mW (1/3 W)
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
9 Ohms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
45 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
10 ns
Время спада
10 ns
Длина
3.05мм
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
3000
Серия
BS250
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 P-Channel
Типичное время задержки выключения
10 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Diodes Incorporated
Упаковка / блок
SOT-23-3
Продукт
MOSFET Small Signal
Тип
FET
Maximum Continuous Drain Current
90 мА
Height
1мм
Maximum Drain Source Voltage
45 В
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Техническая документация
BS250F , pdf
, 88 КБ
Datasheet BS250FTA , pdf
, 108 КБ
Datasheet BS250FTA , pdf
, 81 КБ
