BVSS138LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 32 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 50 В, 200 мА, 0.225Вт

N-канал 50 В 200 мА (Ta) 225 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1621339

Технические параметры

Вес, г

0.03

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Количество элементов на ИС

Length

3.04мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

ON Semiconductor

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Pin Count

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

±20 V dc

Base Product Number

BVSS138 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

200mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

225mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

3.5Ohm @ 200mA, 5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Тип корпуса

SOT-23

Transistor Configuration

Одинарный

Maximum Gate Threshold Voltage

1.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.85V

Максимальное напряжение затвор-исток

±20 V dc

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

200 мА

Maximum Power Dissipation

225 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Height

1.01mm

Maximum Drain Source Resistance

10 Ω

Maximum Drain Source Voltage

50 В

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Configuration

Single

ECCN (US)

EAR99

EU RoHS

Compliant

Lead Shape

Gull-wing

Maximum Continuous Drain Current (A)

0.2

Maximum Drain Source Resistance (mOhm)

3500@5V

Maximum Drain Source Voltage (V)

Maximum Gate Source Voltage (V)

±20

Maximum Operating Temperature (°C)

150

Maximum Power Dissipation (mW)

225

Minimum Operating Temperature (°C)

-55

Mounting

Surface Mount

Packaging

Tape and Reel

Part Status

Active

PCB changed

Product Category

Power MOSFET

Standard Package Name

SOT

Supplier Package

SOT-23

Typical Input Capacitance @ Vds (pF)

40@25V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.85V

Automotive Standard

AEC-Q101

HTS

8541.29.00.95

Typical Turn-Off Delay Time (ns)

20(Max)

Typical Turn-On Delay Time (ns)

20(Max)

Automotive

Yes

Military

Package Height

0.94

Package Length

2.9

Package Width

1.3

Максимальное пороговое напряжение включения

1.5V

Process Technology

TMOS

Maximum Gate Threshold Voltage (V)

1.5

Maximum Gate Source Leakage Current (nA)

100

Maximum IDSS (uA)

0.5

AEC Qualified Number

AEC-Q101

Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)

0.8

Typical Gate Plateau Voltage (V)

1.9

Maximum Positive Gate Source Voltage (V)

Operating Junction Temperature (°C)

-55 to 150

Typical Reverse Transfer Capacitance @ Vds (pF)

3.5

Minimum Gate Threshold Voltage (V)

0.85

Typical Output Capacitance (pF)

Supplier Temperature Grade

Automotive

Техническая документация

Datasheet , pdf , 181 КБ
Datasheet BVSS138LT1G , pdf , 106 КБ

BVSS138LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 32 руб.

Техническая документация