BSS84AKS,115, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 38 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: 6-TSSOP, инфо: Сдвоенный полевой транзистор, P-канальный, 50V 0.16A 0,445Вт

BSS84AKS - это двойной P-канальный полевой транзистор в очень маленьком пластиковом корпусе для поверхностного монтажа, использующий технологию Trench MOSFET. Он подходит для драйверов реле, драйверов высокоскоростных линий, переключателей нагрузки с низкой стороны и схем переключения.

• Совместимость на логическом уровне
• Очень быстрое переключение

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1621050

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Полярность Транзистора

P-Channel

Вес, г

0.05

Максимальный непрерывный ток стока

160 мА

Максимальное рассеяние мощности

320 мВт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.35мм

Высота

1мм

Количество элементов на ИС

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

7.5 Ω

Максимальное напряжение сток-исток

50 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

A, P

Base Product Number

BSS84 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

160mA

Drain to Source Voltage (Vdss)

50V

ECCN

EAR99

FET Type

2 P-Channel (Dual)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.35nC @ 5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

6-TSSOP

Vgs(th) (Max) @ Id

2.1V @ 250ВµA

FET Feature

Logic Level Gate

Power - Max

445mW

Id - непрерывный ток утечки

160 mA

Pd - рассеивание мощности

280 mW

Qg - заряд затвора

350 pC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

7.5 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

50 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V, + 20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

2.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Длина

2.2мм

Другие названия товара №

934065308115

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

2 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

150 mS

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

2 P-Channel

Типичное время задержки выключения

48 нс

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

TSSOP-6

Продукт

MOSFET Small Signal

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Изолированный

Типичное время задержки включения

13 ns

Производитель

Nexperia

Maximum Gate Threshold Voltage

2.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Число контактов

Типичный заряд затвора при Vgs

0.26 nC @ 5 V

Типичная входная емкость при Vds

24 пФ при -25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

160mA

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

445mW

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

2 P Channel(Double)

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

50V

Vgs - Gate-Source Voltage

2.1V @ 250uA

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet BSS84AKS.115 , pdf , 1420 КБ
Datasheet BSS84AKS,115 , pdf , 1432 КБ
Datasheet BSS84AKS,115 , pdf , 891 КБ

BSS84AKS,115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 38 руб.

Техническая документация