BVSS123LT1G, ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 20 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-23-3, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 100 В, 170 мА, 0.225Вт

N-канал 100 В 170 мА (Ta) 225 мВт (Ta) поверхностный монтаж SOT-23-3

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1621048

Технические параметры

Вес, г

0.03

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-23

Высота

1.01mm

Length

3.04мм

Brand

ON Semiconductor

Series

BSS123L

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Pin Count

Base Product Number

BVSS123 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

170mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

225mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6Ohm @ 100mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-23-3

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.8V @ 1mA

Rds On - Drain-Source Resistance

6 Ohms

Transistor Polarity

N-Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100 V

Vgs - Gate-Source Voltage

10 V

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

225 мВт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Channel Mode

Enhancement

Configuration

Single

Packaging

Cut Tape or Reel

Product Category

MOSFET

Automotive Standard

AEC-Q101

Dimensions

3.04 x 1.4 x 1.01mm

Typical Turn-On Delay Time

20 ns

Typical Turn-Off Delay Time

40 ns

Factory Pack Quantity

3000

Forward Transconductance - Min

80 S

Id - Continuous Drain Current

170 mA

Manufacturer

ON Semiconductor

Mounting Style

SMD/SMT

Number Of Channels

1 Channel

Pd - Power Dissipation

225 mW

Product Type

MOSFET

Subcategory

MOSFETs

Transistor Type

1 N-Channel

Unit Weight

0.000282 oz

Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage

1.6 V

Qualification

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet , pdf , 179 КБ
Datasheet , pdf , 113 КБ

BVSS123LT1G - характеристики, поставщики

Последняя цена 20 руб.

Техническая документация