BSS138BKW,115, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 30 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-323, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В 0,32А 0.31Вт

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1621046

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.04

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Максимальный непрерывный ток стока

320 mA

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Максимальное рассеяние мощности

310 mW

Высота

1мм

Transistor Material

Кремний

Количество элементов на ИС

Length

3мм

Конфигурация транзистора

Одинарный

Brand

Nexperia

Series

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

BSS138 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

320mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.7nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

56pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta), 830mW (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 320mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

320 mA

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

480 mV

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

5 ns

Время спада

20 ns

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BSS138BKW

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

38 ns

Типичное время задержки при включении

5 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Minimum Gate Threshold Voltage

0.48V

Типичный заряд затвора при Vgs

0.6 nC @ 4.5 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.4мм

Maximum Drain Source Resistance

1,6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 В

Channel Mode

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.6V

Техническая документация

Datasheet BSS138BKW,115 , pdf , 1581 КБ
Datasheet BSS138BKW,115 , pdf , 855 КБ
Datasheet BSS138BKW.115 , pdf , 1391 КБ

BSS138BKW,115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 30 руб.

Техническая документация