ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BSS84AKW,115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Nexperia
BSS84AKW,115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
BSS84AKW,115
Последняя цена
17 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
корпус: SOT-323, инфо: Полевой транзистор, P-канальный, 50 В, 150 мА, 0.31Вт
МОП-транзистор с каналом P, Nexperia
Информация
Производитель
Nexperia
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1621045
Технические параметры
Вес, г
0.04
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Transistor Material
Si
Length
2.2мм
Brand
Nexperia
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
0.26 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Base Product Number
BSS84 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
150mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)
50V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.35nC @ 5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
36pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Operating Temperature
-55В°C ~ 150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SC-70, SOT-323
Power Dissipation (Max)
260mW (Ta), 830mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 100mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-323
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВµA
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
2.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.1V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
150 мА
Maximum Power Dissipation
310 mW
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Height
1мм
Maximum Drain Source Resistance
7.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage
50 В
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Техническая документация
Datasheet BSS84AKW,115 , pdf
, 1422 КБ
Datasheet BSS84AKW,115 , pdf
, 866 КБ
