2N7002PW,115, Nexperia - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 16 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы

корпус: SOT-323, инфо: Полевой транзистор, N-канальный, 60 В, 0.31 А, 0.31Вт

N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia

Информация

Производитель

Nexperia

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1621036

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

0.04

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

SOT-323 (SC-70)

Ширина

1.35 mm

Высота

1 mm

Transistor Material

Length

2.2mm

Brand

Nexperia

Минимальная рабочая температура

55 C

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

0.6 nC

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

2N7002 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

310mA (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

HTSUS

8541.21.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 10V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

SC-70, SOT-323

Power Dissipation (Max)

260mW (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

SOT-323

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

310 mA

Pd - рассеивание мощности

310 mW

Qg - заряд затвора

0.6 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

1.6 Ohms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

60 V

Vgs - напряжение затвор-исток

10 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

1.1 V

Вид монтажа

SMD/SMT

Время нарастания

4 ns

Время спада

5 ns

Длина

2.2 mm

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

3000

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel Trench MOSFET

Типичное время задержки выключения

10 ns

Типичное время задержки при включении

3 ns

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-323-3

Продукт

MOSFET Small Signal

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.1V

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

310 mA

Maximum Power Dissipation

260 mW

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

1.35mm

Height

1mm

Maximum Drain Source Resistance

1.6 Ω

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

Datasheet , pdf , 8541 КБ
Datasheet 2N7002PW,115 , pdf , 149 КБ
Datasheet 2N7002PW.115 , pdf , 263 КБ

2N7002PW,115 - характеристики, поставщики

Последняя цена 16 руб.

Техническая документация