BFN26E6327HTSA1, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236, АБ

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 360 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 200 мА, Коэффициент усиления по току, min 30

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1620938

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

NPN

Вес, г

0.032

Pd - рассеивание мощности

360 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

2.9 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

500 mA

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

300 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

300 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

6 V

Непрерывный коллекторный ток

200 mA

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Серия

BFN26

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.3 mm

Другие названия товара №

26 BFN BFN26E6327XT E6327 SP000014785

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

70 MHz

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0.5 V

Техническая документация

Datasheet BFN26E6327HTSA1 , pdf , 72 КБ

BFN26E6327HTSA1 - характеристики, поставщики

Последняя цена 3 руб.

Техническая документация