BC807.215, NXP Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 2 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки биполярные

кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 100, Коэффициент усиления по току, max 600

Информация

Производитель

NXP Semiconductor

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1620848

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+ 150 C

Полярность Транзистора

PNP

Вес, г

0.028

Base Product Number

BC807 ->

Current - Collector (Ic) (Max)

500mA

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

100 @ 100mA, 1V

ECCN

EAR99

Frequency - Transition

80MHz

HTSUS

8541.21.0095

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Operating Temperature

150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power - Max

250mW

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-236AB

Transistor Type

PNP

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

700mV @ 50mA, 500mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

45V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

-700 mV

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Number of Elements per Chip

Length

3мм

Maximum Collector Base Voltage

-50 V

Transistor Configuration

Single

Brand

Nexperia

Maximum Collector Emitter Voltage

45 V

Package Type

SOT-23

Maximum Power Dissipation

250 mW

Minimum Operating Temperature

-65 °C

Width

1.4мм

Maximum DC Collector Current

500 мА

Height

1мм

Pin Count

Dimensions

3 x 1.4 x 1mm

Maximum Emitter Base Voltage

-5 V

Minimum DC Current Gain

100

Pd - рассеивание мощности

250 mW

Вид монтажа

SMD/SMT

Высота

1 mm

Длина

3 mm

Категория продукта

Биполярные транзисторы - BJT

Конфигурация

Single

Максимальный постоянный ток коллектора

0.5 A

Минимальная рабочая температура

65 C

Напряжение коллектор-база (VCBO)

50 V

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

45 V

Напряжение эмиттер-база (VEBO)

5 V

Подкатегория

Transistors

Размер фабричной упаковки

3000

Тип продукта

BJTs - Bipolar Transistors

Торговая марка

Nexperia

Упаковка / блок

SOT-23-3

Ширина

1.4 mm

Другие названия товара №

933589500215

Квалификация

AEC-Q101

Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.

100 at 100 mA, 1 V

Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)

80 MHz

Технология

Series

Automotive, AEC-Q101 ->

Техническая документация

Datasheet , pdf , 284 КБ
BC807_BC807W_BC327 Datasheet , pdf , 234 КБ

BC807.215 - характеристики, поставщики

Последняя цена 2 руб.

Техническая документация