ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
PDTA143ZT.215 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
PDTA143ZT.215
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
PDTA143ZT.215
Последняя цена
2 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки биполярные
кол-во в упаковке: 3000, корпус: TO236
Корпус TO236
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1620656
Технические параметры
Вес, г
0.044
Base Product Number
PDTA143 ->
Current - Collector (Ic) (Max)
100mA
Current - Collector Cutoff (Max)
1ВµA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce
100 @ 10mA, 5V
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max
250mW
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-236AB
Transistor Type
PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic
100mV @ 250ВµA, 5mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
50V
Maximum DC Collector Current
100mA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
50V
Pd - Power Dissipation
250mW
Resistor - Base (R1)
4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2)
47 kOhms
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 717 КБ
Datasheet , pdf
, 1339 КБ