IRFS4127TRLPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 160 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

N-CH 200V 72A 22mOhm TO263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 200 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 72 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1620646

Технические параметры

Вес, г

2.072

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Высота

9.65mm

Length

10.67мм

Brand

Infineon

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

100 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Mounting Type

Поверхностный монтаж

Серия

HEXFET

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

72A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

375W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

22mО© @ 44A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

200V

Vgs - Gate-Source Voltage

5V @ 250uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

72 А

Maximum Power Dissipation

375 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

22 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

200 V

Channel Mode

Поднятие

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Техническая документация

Datasheet IRFS4127TRLPBF , pdf , 356 КБ

IRFS4127TRLPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 160 руб.

Техническая документация