ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRFB3207ZPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRFB3207ZPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRFB3207ZPBF
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 75 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 120 А, Сопротивление открытого канала (мин) 4.1 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1620187
Технические параметры
Вес, г
2.64
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Package Type
TO-220AB
Максимальное рассеяние мощности
300 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.82мм
Transistor Material
Si
Количество элементов на ИС
1
Length
10.66mm
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Pin Count
3
Typical Gate Charge @ Vgs
120 nC @ 10 V
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Base Product Number
IRFB3207 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
120A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
170nC @ 10V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
6920pF @ 50V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.1mOhm @ 75A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 150ВµA
Структура
N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
75
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
120
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
300
Корпус
TO220AB
Тип корпуса
TO-220AB
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Число контактов
3
Типичный заряд затвора при Vgs
120 нКл при 10 В
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
170 A
Maximum Power Dissipation
300 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
4.82mm
Height
9.02mm
Maximum Drain Source Resistance
4 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
75 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Крутизна характеристики S,А/В
280
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
4.1
Температура, С
-55...+175
Максимальное пороговое напряжение включения
4V
Техническая документация
IRFS3207ZPBF Datasheet , pdf
, 432 КБ
Datasheet , pdf
, 492 КБ
