STT6N3LLH6, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 12 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT236

Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
Корпус SOT236, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 6 А, Сопротивление открытого канала (мин) 25 мОм

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1620156

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

150 C

Количество Выводов

6вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

SOT-23

Рассеиваемая Мощность

1.6Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

30В

Непрерывный Ток Стока

6А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.021Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

10В

Пороговое Напряжение Vgs

1В

Transistor Mounting

Surface Mount

Вес, г

0.062

Линейка Продукции

STripFET VI DeepGATE Series

Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)

MSL 1-Безлимитный

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

6A(Tc)

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.6W(Tc)

Rds On - Drain-Source Resistance

25mО© @ 3A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1V @ 250uAпј€Minпј‰

Техническая документация

Datasheet STT6N3LLH6 , pdf , 1056 КБ

STT6N3LLH6 - характеристики, поставщики

Последняя цена 12 руб.

Техническая документация