ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPD95R450P7ATMA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPD95R450P7ATMA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPD95R450P7ATMA1
Последняя цена
140 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 2500, корпус: TO252, АБ
МОП-транзистор 950 V CoolMOS P7
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1620043
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252 (DPAK)
Рассеиваемая Мощность
104Вт
Полярность Транзистора
N Канал
Напряжение Истока-стока Vds
950В
Непрерывный Ток Стока
14А
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
0.38Ом
Напряжение Измерения Rds(on)
10В
Пороговое Напряжение Vgs
3В
Transistor Mounting
Surface Mount
Вес, г
0.548
Линейка Продукции
CoolMOS P7 Series
Минимальная рабочая температура
55 C
Id - непрерывный ток утечки
14 A
Pd - рассеивание мощности
104 W
Qg - заряд затвора
35 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
950 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2.5 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
7 ns
Время спада
5 ns
Другие названия товара №
IPD95R450P7
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
2500
Серия
P7
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
45 ns
Типичное время задержки при включении
10 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
DPAK-3
Упаковка
Reel
Техническая документация
Datasheet IPD95R450P7ATMA1 , pdf
, 1123 КБ