ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLZ44NPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLZ44NPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLZ44NPBF
Последняя цена
50 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ
MOSFET, N, 55V, 41A, TO-220 Transistor Type MOSFET Transistor Polarity N Voltage, Vds Typ 55V Current, Id Cont 41A Resistance, Rds On 0.022ohm Voltage, Vgs Rds on Measurement 10V Voltage, Vgs th Typ 2V Case Style TO-220AB Termination Type Through Hole Current, Idm Pulse 160A Lead Spacing 2.54mm No. of Pins 3 Power Dissipation 83W Power, Pd 83W Temperature, Current 25°C Temperature, Full Power Rating 25°C Thermal Resistance, Junction to Case A 1.8°C/W Transistors, No. of 1 Voltage, Vds Max 55V Voltage, Vgs th Max 2V
Корпус TO220AB, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 55 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 47 А, Сопротивление открытого канала (мин) 22 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1620039
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+175 °C
Вес, г
2.66
Максимальный непрерывный ток стока
47 A
Максимальное рассеяние мощности
110 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Высота
8.77мм
Количество элементов на ИС
1
Series
HEXFETВ® ->
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
22 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
55 В
Номер канала
Поднятие
Тип канала
N
Base Product Number
IRLZ44 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
47A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)
55V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
ECCN
EAR99
FET Type
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
48nC @ 5V
HTSUS
8541.29.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1700pF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
Power Dissipation (Max)
3.8W (Ta), 110W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 25A, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220AB
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)
В±16V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250ВµA
Серия
HEXFET
Типичное время задержки выключения
26 нс
Тип корпуса
TO-220AB
Материал транзистора
SI
Transistor Configuration
Одинарный
Типичное время задержки включения
11 ns
Производитель
Infineon
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Число контактов
3
Категория
Мощный МОП-транзистор
Типичный заряд затвора при Vgs
48 nC @ 5 V
Типичная входная емкость при Vds
1700 пФ при 25 В
Максимальное напряжение затвор-исток
-16 V, +16 V
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
47A
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
3.8W
Rds On - Drain-Source Resistance
22mО© @ 25A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
55V
Vgs - Gate-Source Voltage
2V @ 250uA
Техническая документация
IRLZ44N Datasheet , pdf
, 108 КБ
Datasheet IRLZ44NPBF , pdf
, 230 КБ
Datasheet IRLZ44NPBF , pdf
, 224 КБ
