ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IPA50R190CEXKSA2 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IPA50R190CEXKSA2
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IPA50R190CEXKSA2
Последняя цена
110 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220FP, АБ
Корпус TO220FP, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 18.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 190 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1620028
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
2.938
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Максимальный непрерывный ток стока
24,8 A
Package Type
TO-220FP
Максимальное рассеяние мощности
32 Вт
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Ширина
4.85 mm
Высота
16.15mm
Количество элементов на ИС
1
Length
10.65мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Brand
Infineon
Series
CoolMOS CE
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Максимальное сопротивление сток-исток
450 mΩ
Максимальное напряжение сток-исток
500 V
Тип канала
N
Maximum Gate Source Voltage
+30 V
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Id - непрерывный ток утечки
24.8 A
Pd - рассеивание мощности
32 W
Qg - заряд затвора
47.2 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
450 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
500 V
Vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
3 V
Вид монтажа
Through Hole
Время нарастания
8.5 ns
Время спада
7.5 ns
Длина
10.65mm
Другие названия товара №
IPA50R190CE SP001364312
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Коммерческое обозначение
CoolMOS
Конфигурация
Single
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
500
Серия
CoolMOS CE
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
54 ns
Типичное время задержки при включении
9.5 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
TO-220-3
Упаковка
Tube
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Число контактов
3 + Tab
Типичный заряд затвора при Vgs
47.2 nC @ 10 V
Maximum Continuous Drain Current
24.8 A
Maximum Power Dissipation
32 W
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
4.9mm
Height
16.15мм
Maximum Drain Source Voltage
500 В
Channel Mode
Поднятие
Forward Diode Voltage
0.85V
Максимальное пороговое напряжение включения
3.5V
Техническая документация
Datasheet IPA50R190CEXKSA2 , pdf
, 972 КБ
Datasheet IPA50R190CEXKSA2 , pdf
, 1162 КБ