ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
2N7002BKV.115 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
2N7002BKV.115
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
2N7002BKV.115
Последняя цена
7 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: SOT563
Корпус SOT-563
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1618680
Технические параметры
Вес, г
0.033
Series
Automotive, AEC-Q101, TrenchMOSв„ў ->
Base Product Number
2N7002 ->
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C
340mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
60V
ECCN
EAR99
FET Type
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
0.6nC @ 4.5V
HTSUS
8541.21.0095
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
50pF @ 10V
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Surface Mount
Operating Temperature
150В°C (TJ)
Package
Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case
SOT-563, SOT-666
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.6Ohm @ 500mA, 10V
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
SOT-666
Vgs(th) (Max) @ Id
2.1V @ 250ВµA
FET Feature
Logic Level Gate
Power - Max
350mW
Техническая документация
Datasheet 2N7002BKV,115 , pdf
, 922 КБ
Datasheet 2N7002BKV,115 , pdf
, 352 КБ
