ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STW19NM50N - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STW19NM50N
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
STW19NM50N
Последняя цена
98 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 30, корпус: TO247
MOSFET силовой транзистор - [TO-247-3]; Тип: N; Uси: 550 В; Iс(25°C): 14 А; Rси(вкл): 0...0.25 Ом; Uзатв(макс): 25 В; Qзатв: 34 нКл
Корпус TO-247-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 500 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 14 А, Сопротивление открытого канала (мин) 250 мОм
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1618507
Технические параметры
Вес, г
6.708
Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C
14A(Tc)
Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)
110W(Tc)
Rds On - Drain-Source Resistance
250mО© @ 7A,10V
Transistor Polarity
N Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
500V
Vgs - Gate-Source Voltage
4V @ 250uA
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 734 КБ
