IRFS4410ZTRLPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 800, корпус: TO263, АБ

MOSFET, N-CH, 100V, 97A, TO-263
Корпус TO263, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 97 А, Сопротивление открытого канала (мин) 9 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1618146

Технические параметры

Вес, г

2.088

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Package Type

D2PAK (TO-263)

Transistor Material

Length

10.67mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

83 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Mounting Type

Surface Mount

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

97A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

230W

Rds On - Drain-Source Resistance

9mО© @ 58A,10V

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

100V

Vgs - Gate-Source Voltage

4V @ 150uA

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

97 A

Maximum Power Dissipation

230 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

11.3mm

Height

4.83mm

Maximum Drain Source Resistance

9 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

100 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.3V

Forward Transconductance

140s

Dimensions

10.67 x 11.3 x 4.83mm

Typical Turn-On Delay Time

16 ns

Typical Turn-Off Delay Time

43 ns

Техническая документация

Datasheet IRFB4410Z, IRFS4410Z, IRFSL4410Z , pdf , 331 КБ
Datasheet , pdf , 331 КБ

IRFS4410ZTRLPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация