AUIRF4905, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220AB, АБ

Автомобильный силовой полевой МОП-транзистор с P-каналом, Infineon
Комплексный портфель Infineon, состоящий из однокристальных N-канальных устройств AECQ-101, соответствующих требованиям автомобильной промышленности, удовлетворяет широкий спектр требований к питанию во многих приложениях. Этот диапазон дискретных силовых полевых МОП-транзисторов HEXFET® включает P-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые могут удовлетворить практически любую компоновку платы и проблему теплового дизайна. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1618130

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Вес, г

2.633

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

74 A

Package Type

TO-220AB

Максимальное рассеяние мощности

200 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

4.82мм

Высота

16.51мм

Transistor Material

Количество элементов на ИС

Length

10.66mm

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

20 mΩ

Максимальное напряжение сток-исток

55 В

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

180 nC @ 10 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Base Product Number

AUIRF4905 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

74A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

P-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3400pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-220-3

Power Dissipation (Max)

200W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

20mOhm @ 38A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-220AB

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Длина

10.66мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

61 нс

Тип корпуса

TO-220AB

Размеры

10.66 x 4.82 x 16.51мм

Материал транзистора

Transistor Configuration

Single

Типичное время задержки включения

18 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

180 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

3400 pF @ -25 V

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

74 A

Maximum Power Dissipation

200 W

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Width

4.82mm

Height

16.51mm

Maximum Drain Source Resistance

20 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

55 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Техническая документация

AUIRF4905 datasheet , pdf , 273 КБ
Datasheet AUIRF4905 , pdf , 348 КБ

AUIRF4905 - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация