IRLML6346TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 10 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 3000, корпус: SOT23, АБ

Корпус SOT-23-3, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 30 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 3.4 А, Сопротивление открытого канала (мин) 63 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1618005

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.045

Максимальный непрерывный ток стока

3.4 A

Максимальное рассеяние мощности

1,3 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

1.4мм

Высота

1.02мм

Количество элементов на ИС

Series

HEXFETВ® ->

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

80 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

30 V

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Base Product Number

IRLML6346 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

3.4A (Ta)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

2.5V, 4.5V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.9nC @ 4.5V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

270pF @ 24V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Surface Mount

Operating Temperature

-55В°C ~ 150В°C (TJ)

Package

Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®

Package / Case

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Power Dissipation (Max)

1.3W (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63mOhm @ 3.4A, 4.5V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

Micro3в„ў/SOT-23

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±12V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.1V @ 10ВµA

Длина

3.04мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

12 нс

Тип корпуса

SOT-23

Размеры

3.04 x 1.4 x 1.02мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

3,3 нс

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

1.1V

Minimum Gate Threshold Voltage

0.5V

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

2,9 нКл при 4,5 В

Типичная входная емкость при Vds

270 пФ при 24 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, +12 В

Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C

3.4A

Power Dissipation-Max (Ta=25В°C)

1.3W

Rds On - Drain-Source Resistance

Transistor Polarity

N Channel

Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

30V

Vgs - Gate-Source Voltage

1.1V @ 10uA

Техническая документация

IRLML6346PBF datasheet , pdf , 257 КБ
Datasheet IRLML6346TRPBF , pdf , 219 КБ
Datasheet , pdf , 213 КБ

IRLML6346TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 10 руб.

Техническая документация