ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IRLHS6242TRPBF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IRLHS6242TRPBF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
IRLHS6242TRPBF
Последняя цена
19 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы и сборки MOSFET
кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN8, АБ
Корпус PQFN8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 11.7 мОм
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Полевые (FETs, MOSFETs)
Номенклатурный номер
1617757
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
+ 150 C
Полярность Транзистора
N-Channel
Вес, г
0.046
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Package Type
PQFN
Ширина
2 mm
Высота
0.9 mm
Transistor Material
Si
Length
2.1mm
Brand
Infineon
Series
HEXFET
Минимальная рабочая температура
55 C
Pin Count
7
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Mounting Type
Surface Mount
Id - непрерывный ток утечки
22 A
Pd - рассеивание мощности
9.6 W
Qg - заряд затвора
14 nC
Rds Вкл - сопротивление сток-исток
11.7 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток
20 V
Vgs - напряжение затвор-исток
12 V
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
1.1 V
Вид монтажа
SMD/SMT
Время нарастания
15 ns
Время спада
13 ns
Длина
2 mm
Другие названия товара №
SP001573008
Канальный режим
Enhancement
Категория продукта
МОП-транзистор
Количество каналов
1 Channel
Конфигурация
Single Quint Drain Dual Source
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.
36 S
Подкатегория
MOSFETs
Размер фабричной упаковки
4000
Технология
Si
Тип продукта
MOSFET
Тип транзистора
1 N-Channel
Типичное время задержки выключения
19 ns
Типичное время задержки при включении
5.8 ns
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка / блок
PQFN-6
Тип
HEXFET Power MOSFET
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.5V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Power Dissipation
1.98 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
2.1mm
Height
0.95mm
Maximum Drain Source Resistance
15.5 mΩ
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Dimensions
2.1 x 2.1 x 0.95mm
Typical Turn-On Delay Time
5.8 ns
Typical Turn-Off Delay Time
19 ns
Category
Power MOSFET
Typical Input Capacitance @ Vds
1110 pF@ 10 V
Техническая документация
IRLHS6242PBF Datasheet , pdf
, 272 КБ
Datasheet IRLHS6242TRPBF , pdf
, 241 КБ
Datasheet IRLHS6242TRPBF , pdf
, 258 КБ