IRFH5406TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 81 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN8, АБ

Корпус PQFN8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 11 А, Сопротивление открытого канала (мин) 14.4 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1617756

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.188

Максимальный непрерывный ток стока

40 A

Максимальное рассеяние мощности

46 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Ширина

5мм

Высота

0.85мм

Количество элементов на ИС

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

14,4 мΩ

Максимальное напряжение сток-исток

60 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Прямое напряжение диода

1.3V

Длина

6мм

Серия

HEXFET

Типичное время задержки выключения

12 нс

Тип корпуса

PQFN

Размеры

6 x 5 x 0.85мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

5,4 нс

Производитель

Infineon

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

21 nC @ 10 V

Типичная входная емкость при Vds

1256 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Прямая активная межэлектродная проводимость

27S

Техническая документация

Datasheet IRFH5406TRPBF , pdf , 234 КБ

IRFH5406TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 81 руб.

Техническая документация