IRFH5015TRPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 88 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 4000, корпус: PQFN8, АБ

Корпус PQFN8, Конфигурация и полярность N, Максимальное напряжение сток-исток 150 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 10 А, Сопротивление открытого канала (мин) 31 мОм

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1617755

Технические параметры

Вес, г

0.227

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

PQFN

Максимальное рассеяние мощности

156 Вт

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Высота

0.85мм

Количество элементов на ИС

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Pin Count

Номер канала

Поднятие

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Прямое напряжение диода

1.3V

Длина

6мм

Типичный заряд затвора при Vgs

36 нКл при 10 В

Maximum Continuous Drain Current

44 А

Width

5мм

Maximum Drain Source Resistance

31 мΩ

Maximum Drain Source Voltage

150 В

Channel Type

Минимальное пороговое напряжение включения

Максимальное пороговое напряжение включения

Техническая документация

Datasheet IRFH5015TRPBF , pdf , 273 КБ

IRFH5015TRPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 88 руб.

Техническая документация