IRFP250MPBF, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 120 руб.

Сравнить

Описание

Транзисторы и сборки MOSFET

кол-во в упаковке: 25, корпус: TO247AC, АБ

N-канальный силовой полевой МОП-транзистор от 150 В до 600 В, Infineon
Линейка дискретных силовых полевых МОП-транзисторов Infineon HEXFET® включает N-канальные устройства в корпусах для поверхностного монтажа и выводах, а также в форм-факторах, которые подходят практически для любой компоновки платы и проблема теплового проектирования. Во всем диапазоне эталонное сопротивление снижает потери проводимости, позволяя разработчикам обеспечивать оптимальную эффективность системы.

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1617533

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+175 °C

Полярность Транзистора

N-Channel

Вес, г

8.329

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Максимальный непрерывный ток стока

30 A

Максимальное рассеяние мощности

214 W

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Ширина

5.2мм

Высота

21.1мм

Количество элементов на ИС

Length

16.13мм

Brand

Infineon

Series

HEXFET

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальное сопротивление сток-исток

75 мОм

Максимальное напряжение сток-исток

200 В

Номер канала

Поднятие

Тип канала

Maximum Gate Source Voltage

-20 В, +20 В

Base Product Number

IRFP250 ->

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C

30A (Tc)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

ECCN

EAR99

FET Type

N-Channel

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

123nC @ 10V

HTSUS

8541.29.0095

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2159pF @ 25V

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Монтаж на плату в отверстия

Operating Temperature

-55В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

Power Dissipation (Max)

214W (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

75mOhm @ 18A, 10V

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

TO-247AC

Technology

MOSFET (Metal Oxide)

Vgs (Max)

В±20V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250ВµA

Id - непрерывный ток утечки

30 A

Pd - рассеивание мощности

214 W

Qg - заряд затвора

82 nC

Rds Вкл - сопротивление сток-исток

75 mOhms

Vds - напряжение пробоя сток-исток

200 V

Vgs - напряжение затвор-исток

20 V

Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток

4 V

Вид монтажа

Through Hole

Время нарастания

43 ns

Время спада

33 ns

Длина

16.13мм

Другие названия товара №

SP001566168

Канальный режим

Enhancement

Категория продукта

МОП-транзистор

Количество каналов

1 Channel

Конфигурация

Single

Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.

17 S

Подкатегория

MOSFETs

Размер фабричной упаковки

400

Серия

HEXFET

Технология

Тип продукта

MOSFET

Тип транзистора

1 N-Channel

Типичное время задержки выключения

41 нс

Типичное время задержки при включении

14 ns

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка / блок

TO-247-3

Упаковка

Tube

Тип корпуса

TO-247AC

Размеры

16.13 x 5.2 x 21.1мм

Материал транзистора

Кремний

Transistor Configuration

Одинарный

Типичное время задержки включения

14 ns

Производитель

Infineon

Maximum Gate Threshold Voltage

Minimum Gate Threshold Voltage

Число контактов

Категория

Мощный МОП-транзистор

Типичный заряд затвора при Vgs

123 нКл при 10 В

Типичная входная емкость при Vds

2159 пФ при 25 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Number of Elements per Chip

Maximum Power Dissipation

214 Вт

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

21.1мм

Maximum Drain Source Resistance

75 мΩ

Channel Mode

Поднятие

Техническая документация

Infineon_IRFP250M_DataSheet_v01_01_EN-1732650 , pdf , 1090 КБ
Datasheet , pdf , 637 КБ

IRFP250MPBF - характеристики, поставщики

Последняя цена 120 руб.

Техническая документация